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國家標準:GB/T 4937.4-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分:強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)

文章出處 : 技術知識 文章編輯 : 環(huán)儀儀器 閱讀量 : 發(fā)表時間 : 2025-04-10

《GB/T 4937.4-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分:強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)》是中國國家標準化委員會發(fā)布的標準,用于評估半導體器件在高溫高濕環(huán)境下的可靠性和適應性。該標準規(guī)定了強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗的方法和要求。

強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)是一種常用的環(huán)境應力試驗方法,用于模擬高溫高濕條件下的工作環(huán)境。在試驗中,半導體器件被暴露在高溫高濕的環(huán)境中,以加速可能出現(xiàn)的可靠性問題,例如濕度導致的腐蝕、界面反應、電遷移等。


一、范圍:
GB/T 4937的本部分規(guī)定了強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)方法,用于評價非氣密封裝半導體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。


二、試驗項目:
強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗。


三、試驗設備:
HAST蒸汽壽命試驗機。

《GB/T 4937.4-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分:強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(HAST)》標準(圖1)


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五、試驗程序(部分):

程序
受試器件應以一定的方式安裝,暴露在規(guī)定的溫濕度環(huán)境中,并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應避免暴露于過熱、干燥或?qū)е缕骷碗妸A具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中,尤其在試驗應力上升和下降過程中。

上升
達到穩(wěn)定的溫度和相對濕度環(huán)境的時間應少于3 h。通過保證在整個試驗時間內(nèi)試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝﹐并且上升的速率不能太快以確保受試器件(DUT)的溫度不低于濕球溫度。在干燥的實驗室,試驗箱的初始環(huán)境比較干燥,應保持干球和濕球溫度,使加熱開始后相對濕度不低于50%。

下降
第一階段下降到比較小的正表壓(濕球溫度大約104 ℃),為避免試驗樣品快速減壓,這段時間應足夠長,但不能超過3 h。第二階段濕球溫度從104 ℃到室溫,可通過試驗箱的通風口來實現(xiàn)。此階段不限制時間,并且允許使用冷卻壓力容器。在下降的兩個階段,都應通過保證在整個試驗時間內(nèi)試驗箱干球溫度超過濕球溫度來避免在器件上產(chǎn)生冷凝水﹐下降過程應保持封裝芯片的模塑材料的潮氣含量。
而且第一階段的相對濕度應不低于50%(見5.1)。


《GB/T 4937.4-2012》標準規(guī)定了HAST試驗的裝置、試驗樣品的選擇和準備、試驗條件、試驗過程和評定方法等方面的要求。通過該標準進行的強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗可以幫助制造商和使用者了解半導體器件在高溫高濕環(huán)境下的可靠性表現(xiàn),指導產(chǎn)品設計和改進工藝。


文章標簽 : 國家標準

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