固態(tài)硬盤的讀寫掉電測試一般都是在同一溫度（低溫或者高溫）下進行的，主要檢測產品貯存和使用的適用性。NVMe固態(tài)硬盤內部擔任儲存數據的重要組件是NAND閃存，影響NAND閃存的數據保存，除了擦寫次數，工作溫度也可以直接對固態(tài)硬盤的速度和數據保存造成影響。下面，我們來了解一下固態(tài)硬盤的高低溫擦寫試驗。

固態(tài)硬盤的高低溫擦寫試驗：

試驗設備：環(huán)儀儀器 SSD高低溫交變試驗機

試驗樣品：固態(tài)硬盤

運行環(huán)境：Linux系統(tǒng)。Linux系統(tǒng)工具需要配置安裝，如mke2fs、fdisk、mount、SMART(Self Monitoring Analysis and Reporting Technology)等。

試驗過程：

步驟1、通過硬盤檢測工具SMART(Self Monitoring Analysis and Reporting Technology)進行檢測，測試結果顯示通過，則說明固態(tài)硬盤健康狀態(tài)良好，如果顯示不良，則表示固態(tài)硬盤出現(xiàn)異常狀況。

步驟2、在高溫的溫度范圍為35~125℃下，往被測NVMe固態(tài)硬盤中寫入預設數據；

步驟3、在通電的狀態(tài)下靜置一段時間；

步驟4、靜置后進行掉電測試；

步驟5、檢查被測NVMe固態(tài)硬盤的健康狀態(tài)是否良好，如果良好，則執(zhí)行步驟6，否則結束測試；

步驟6、在-40~0℃下，對被測NVMe固態(tài)硬盤執(zhí)行讀取比對操作；讀取比對操作包括：首先順序讀出已寫入的數據，并與預設數據進行比較；然后隨機選擇一個預設數據的隨機地址并在此地址讀數據塊，再到已寫入的數據中找到其所在的位置，進行讀比對。

步驟7、在通電的狀態(tài)下靜置一段時間；

步驟8、檢查被測NVMe固態(tài)硬盤的健康狀態(tài)是否良好，如果良好，則執(zhí)行步驟9，否則結束測試；

步驟9、生產測試結果，完成測試。

通過以上高低溫擦寫測試，一方面是模擬客戶在極端環(huán)境下，來檢測產品的穩(wěn)定性和數據安全性能；另一方面能夠為產品迅速找出極限點，并從所提供的詳細測試報告中改善產品弱點。

入有SSD固態(tài)硬盤的試驗疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。